東芝メモリ(株)
キャリア採用

革新的な未来のメモリを、
世界に先んじて探究する。

新規メモリ開発部はメモリ技術研究所のデバイス技術研究開発センターに属し、「フューチャーメモリ=3~10年先の社会で主力となる未来のメモリ」の研究開発に全力を注いでいます。 現在、データ記録用のメモリは、長く主流を占めてきた平面(2次元)のNAND型フラッシュから、BiCS FLASH™に代表される3次元メモリに切り替わりつつあり、さらに次世代のストレージクラスメモリ(SCM)の開発が進んでいます。
フューチャーメモリの観点から、私たちは現在進行形のBiCS FLASH™やSCMの研究にも取り組んでいますが、それ以上に、もっと先の真の未来形にフォーカス。将来的に生まれるであろう「今はまだない、新しい構造や原理のメモリ」をターゲットに、その誕生への道を拓く技術シーズを発見し、形にしていく「ゼロからの探究」に注力しています。
ここでは象徴的なテーマとして、「スピントロニクス」を挙げておきましょう。エレクトロニクスは電子の電荷を利用する工学ですが、電子はもうひとつスピンと呼ばれる磁気の性質を有しています。スピントロニクスは、この電荷と磁気の2つの特性を合わせて利用する工学で、これまでのエレクトロニクスの限界を超えるデバイスを実現できると注目を集めています。私たちはこの分野で先行しており、応用製品のひとつであるMRAM(Magnetic RAM)をはじめ、スピントロニクスを大容量メモリに適用して、画期的なプロダクトを生み出そうとトライアルを重ねているところです。

ボトムアップの文化のもと、
自由に大胆に。

当社のメモリ技術研究所は社長直轄の中央研究所であり、なかでも新規メモリ開発部は電子・電気、物理、化学、物性・材料など幅広い工学・理学出身の研究者を結集。フューチャーメモリを対象に、材料・プロセス・デバイス等に関わる多元的なR&Dを推進しています。ドクター、社会人ドクター、グローバル採用で入社した外国籍の研究者など専門性、多様性にも富んでおり、ベルギーのIMECやスタンフォード大学をはじめ内外の有力研究機関、大学とのオープンイノベーションも積極的に展開。積極的に外に出て、各所からアイディアを取り込むことを意識しています。また、国際学会での発表、論文投稿、特許権取得といった活動も重視しています。
そもそも、何が未来のメモリにつながるのか? 未知・未踏の分野を切り拓くのが私たちのミッションです。 ひとつの研究をはじめると基本的には3年以上はそのテーマに向き合うケースが大半です。 当社には(株)東芝時代からボトムアップの文化が脈打っており、最初はあまり見向きされなかった技術を独創的な製品に結実させた伝統が受け継がれています。フラッシュメモリがまさにそれに当たりますし、ワープロやノートPCなど、枚挙にいとまがありません。それだけに、メンバーにはいかに自由に考えさせるか。一人ひとりの発想を大切に、どんなに大胆なアイデアでも、つぶさずに上手く引き出し、すぐに試せるように、誰もが個の力をフルに発揮して活躍できる環境を整えています。 ものづくりが好きで、頭を使いながら、手を動かせる方。オープンマインドでアクティビティが高く、世界のいろいろな研究者と交流できる方。そして自分の専門性に誇りを持っている方が、培ったキャリアを活かして思いきりチャレンジできるフィールドであり、明日のメモリの可能性を先んじて追究できる、またとない部署だと自負しています。

  • メモリ技術研究所
  • デバイス技術研究開発センター
  • 新規メモリ開発部
  • 部長 小山 正人

東芝メモリの技術

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