TOSHIBA MEMORY 東芝メモリ株式会社 キャリア採用サイト

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INTERVIEW

Toshiba Memory Mid-Career Recruitment Website
Introduction to Technological Fields

3次元64層プロセスをはじめ、
次世代のロードマップを描くために
メモリ事業部先端メモリ開発センター(AMDC) センター長

3次元64層プロセスをはじめ、
次世代のロードマップを描くために
メモリ事業部先端
メモリ開発センター(AMDC)
センター長

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東芝の半導体メモリの開発・生産拠点である四日市工場。NAND型フラッシュメモリでは10nmクラスの第3世代が生産の主力ですが、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」も48層の量産が始まり、さらに64層の新製品についてもサンプル出荷が始まりました。
SSDの市場は非常に活況で、NAND型フラッシュメモリの売れ行きは好調です。新工場を建設し生産を拡大することで、顧客に喜ばれ、収益にもつながる。今後も継続的な設備投資を進めていきます。
ただ、技術が進めば進むほど、検討すべき課題が増えてくるのも確かです。例えば、3次元フラッシュメモリではウェハー表面に「深い穴」を掘りますが、穴の深さをどう制御するのか。厚みのばらつきをどうコントロールするか。積層化が進むにつれて、これまでの平面型とは異なる新しい課題が生まれている。そこは誰も足を踏み入れたことのない世界。だからこそ、幅広い領域の技術者が必要になるのです。

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私たち先端メモリ開発センター(AMDC)には基礎研究と量産を橋渡しする役割があります。さらに新技術の立ち上げに向けて課題を抽出し、その対策を練ることも任務の一つ。
そうした立ち位置にいるエンジニアには、いま起きている現象を解きほぐし、それを論理的に整理して対応していく力が不可欠です。また、装置、材料、プロセスなどそれぞれ専門性を持ったエンジニアがお互いに技術のバックグラウンドを理解し合いながら、それぞれの知見を「すり合わせ」ていくことも欠かせません。電気、機械、物理など同じ特性を表現するにも用語が違う。相互の技術、言葉を理解しつつ、自分の意見を発する力が大事になります。
つまり、半導体技術のブレークスルーは、突出した個人が担うというより、異種の技術が協業することではじめて成し遂げられるものなのです。

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研究開発という仕事には冷静でロジカルな思考力が要求されます。しかしそれだけではない。なぜ自分はここで研究開発を行うかという動機、自分がそれを担う責任感、あるいは情熱のようなものも、私たちは重視しています。キャリア入社者と話すと、業界再編が進む中でも、自分は生涯にわたって半導体開発を続けたいと話す方が多く、その情熱にはいつも圧倒されています。「これまで仕事が少なくなって辛かった。ここでは思い切り働ける」と語る彼らの表情を見ていると、私たちも嬉しい。
むろん採用にあたっては、私たちが求める技術や経験のスペックにマッチングしていることが判断基準になります。しかし東芝・四日市が行っている開発は、他社には経験が少ない領域。だからこそ、技術一致度の高さは採用の必須条件ではありません。むしろそれぞれの方のポテンシャルを私たちは重視しています。
入社すればどんなに優れたエンジニアでも必ず未知の課題に出くわすことでしょう。しかし、一人で問題を背負い込む必要はありません。周囲を巻き込み、上長と相談するなど積極的なアクションをとれば周りが必ずサポートしてくれます。それが東芝の昔からの風土なのです。

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配属にあたっては技術面のマッチングだけでなく、本人の希望を踏まえ、さらにはその人と職場の相性まで考慮します。それがキャリア入社者の定着に寄与していると自負しています。
この3年で当社の「BiCS FLASH™」の研究開発が急速に進展したのは、キャリア入社者の力に負うところが大です。既存の社員だけでは気づくことができなかった、技術的な課題を乗り越えることができました。
ここには、自分のやった仕事がすぐに世に出ていくという醍醐味があります。SSD/メモリーカードなど、技術が製品となって世界の人々の生活の改善に寄与している感覚も得られます。やりがいを感じやすい職場です。
誰かの技術の物真似ではなく、自分たちが起こす技術革新で世界を変えていく。その前人未踏の道を、これからもみなさんと共に歩んでいければと思います。

※インタビュー内容は取材時のものです。(2016年取材)

PROFILE

Toshiba Memory Mid-Career
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丸山 徹

メモリ事業部先端メモリ開発センター(AMDC)
センター長
1992年 入社 研究開発センターULSI研究所配属
2006年04月 メモリ事業部ファイルメモリ・デバイス技術部(ファイルメモリ先端デバイス開発担当)グループ長
2013年10月 先端メモリ開発センター先端メモリデバイス開発部長
2016年04月 先端メモリ開発センター長