東芝メモリ(株)
キャリア採用

会社概要

会社名
東芝メモリ株式会社(Toshiba Memory Corporation)
発足
2017年4月1日
資本金
4,734億2万5千円
本社所在地
東京都港区芝浦1-1-1
大株主及び持株比率
BCPE Pangea Cayman, L.P. (49.9%)
株式会社東芝 (40.2%)
HOYA株式会社 (9.9%)

※議決権ベースの持株比率を記載しています。
発行株数
1396万5000株
代表者
代表取締役社長 成毛 康雄
事業内容
メモリ及び関連製品の開発・製造・販売事業及びその関連事業
従業員数
単独:約9,000名,連結:約11,000名
主な関係会社

日本:東芝メモリシステムズ株式会社(TMES)
東芝メモリアドバンスドパッケージ株式会社(TMEC)
東芝メモリ岩手株式会社 (TMI)


海外:Toshiba Memory America, Inc. (TMA)
Toshiba Memory Europe GMBH (TME)
Toshiba Memory Asia, Ltd. (TMAL)
Toshiba Electronics (China) Co., Ltd. (TELS)
Toshiba Devices & Storage (Shanghai) Co., Ltd. (TDES)
Toshiba Memory Singapore Pte. Ltd. (TMSP)
Toshiba Memory Semiconductor Taiwan Corporation (TMET)
Toshiba Memory Taiwan Corporation (TMTC)
Toshiba Memory Korea Corporation (TMKC)

経営理念

理念
私たちは最先端メモリ技術・サービスを開拓し続けることで
人々のくらしを豊かにし、社会の可能性を広げます
ビジョン
私たちは創造的な技術を用いて
持続的に価値追求・成長を続ける企業を目指します
行動方針
理念
私たちは最先端メモリ技術・サービスを開拓し続けることで
人々のくらしを豊かにし、社会の可能性を広げます
ビジョン
私たちは創造的な技術を用いて
持続的に価値追求・成長を続ける企業を目指します
行動方針

組織図

歴史

世界で初めてフラッシュメモリを発明。未来への道を切り開いてきました。

1987年
世界初 NAND型フラッシュメモリの発明
1991年
世界初 NAND型フラッシュメモリの製品化
1992年
四日市工場 設立
2007年
世界初 3次元フラッシュメモリ技術の発表
2014年
世界初 15nm 128Gbit NAND型フラッシュメモリの製品化
2016年
48層 3次元フラッシュメモリ BiCS FLASHTM の量産開始
2017年
東芝メモリ株式会社 設立
64層 3次元フラッシュメモリ BiCS FLASHTM の量産開始

国内拠点

四日市工場

歴史

1992年
発足
1993~2002年
DRAM生産
2002年
SanDiskとのJVにてNANDの生産開始
2005年
Y3棟 生産開始
2007年
Y4棟 生産開始
2011年
Y5棟 生産開始
2016年
N-Y2棟 生産開始

特徴

世界最大のフラッシュメモリ工場

  • - 生産能力を相互補完する4棟統合生産
  • - 高度に自動化したクリーンルームにおける高効率生産
  • - 開発部門との密な連携

メモリ事業 業績推移

設備投資額(発注ベース)

(※)東芝電子デバイス事業全体

(※)東芝電子デバイス事業全体