TOSHIBA MEMORY 東芝メモリ株式会社 キャリア採用サイト

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ABOUT US

ここでは当社の事業概要、拠点、生産拠点である四日市工場についてご紹介します。

Company Outline
and Corporate Organization

会社概要

会社名

東芝メモリ株式会社
(Toshiba Memory Corporation)

発足

2017年4月1日

資本金

4,734億2万5千円

本社所在地

東京都港区芝浦三丁目1番21号

株主

東芝メモリホールディングス株式会社 (100%)

発行株数

1396万5000株

代表者

代表取締役社長 成毛 康雄

事業内容

メモリ及び関連製品の開発・製造・販売事業及びその関連事業

従業員数

単独:約10,000名、連結:約12,000名

主な関係会社

日本:
東芝メモリシステムズ株式会社(TMES)
東芝メモリアドバンスドパッケージ株式会社(TMEC)
東芝メモリ岩手株式会社 (TMI)

海外:
Toshiba Memory America, Inc. (TMA)
Toshiba Memory Europe GMBH (TME)
Toshiba Memory Asia, Ltd. (TMAL)
Toshiba Electronics (China) Co., Ltd. (TELS)
Toshiba Devices & Storage (Shanghai) Co., Ltd. (TDES)
Toshiba Memory Singapore Pte. Ltd. (TMSP)
Toshiba Memory Semiconductor Taiwan Corporation (TMET)
Toshiba Memory Taiwan Corporation (TMTC)
Toshiba Memory Korea Corporation (TMKC)

組織図

技術開発ヒストリー

1987年、東芝でNAND型フラッシュメモリが開発されました。
私達は他社に先駆けて微細化技術を高め、高集積化を実現しました。
更に、積層化技術によって大容量化を行い、電子機器の進化や情報社会の進展をグローバルに支えてきました。

*SLC: Single Level Cell
*MLC: Multi Level Cell
*TLC: Triple Level Cell
*QLC: Quad Level Cell

*PATA: Parallel Advanced Technology Attachment
*SATA: Serial Advanced Technology Attachment
*mSATA: mini SATA
*SAS: Serial Attached SCSI (Small Computer System Interface)

国内拠点

  • ①東芝メモリ岩手株式会社

    岩手県北上市

  • ②本社

    東京都港区

  • ③大船事業所小向分室
    大船事業所半導体システムセンター分室

    神奈川県川崎市

  • ④大船事業所
    大船事業所横浜分室
    東芝メモリシステムズ株式会社

    神奈川県横浜市

  • ⑤四日市工場
    メモリ技術研究所
    先端メモリ開発センター
    東芝メリアドバンスドパッケージ株式会社

    三重県四日市市

  • ⑥本社関西分室

    大阪府大阪市

業績推移

2014年度~2016年度は株式会社東芝 メモリ事業セグメントの実績(米国会計基準)
2017年度はPangeaによる買収前、東芝連結時の旧東芝メモリ株式会社の実績(IFRS)
2018年度は2018年4月- 5月の株式会社Pangeaによる買収前の東芝連結時の旧東芝メモリ株式会社の連結計算書類と
2018年4月~19年3月の東芝メモリホールディングス株式会社の連結計算書類の単純合算数値です。
そのため各年度の数値の厳密な比較をするために必要な各種調整はおこなっていません。

About the Yokkaichi plant

From DRAM to NAND-type flash memory,
and also 3D flash memory

半導体開発の“聖地”として。

Prologue

当社の半導体メモリの開発・生産拠点である四日市工場。東京ドーム約10個分という44万m²の広大な敷地に、最先端の半導体製造設備が展開され、約6,000人の人々が働いています。
現在、この工場から生まれる主力製品はNAND型フラッシュメモリ。プロセスルール15nmの2次元の製品がメインですが、同時にセルを多層に積み上げる3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の研究開発や生産も進んでいます。

誰も踏み入れたことのない新しい技術への挑戦が続く四日市工場。世界の半導体の歴史を知る者にとって、ここは困難な技術課題と市況変動の波を乗り越えて存続してきた、“聖地”の一つとも言えるもの。その歴史を簡単に振り返ります。

生き残りをかけて、
DRAMからNANDへの全面転換を決断。

Chapter.1

1992年、東芝グループや地元経済発展への期待を一身に受け、四日市工場は最先端メモリ製品の量産拠点として発足しました。まずはDRAMの先端工場として16メガDRAMの生産からはじまり、64メガDRAM、128メガDRAM、SRAMなど、当時における次世代メモリ製品の生産を次々と進めていきました。しかし、汎用コンピュータからパーソナル・コンピュータへという市場ニーズの大きな変化に伴い、求められるDRAMの質も変化。

韓国や台湾などのアジア企業が一気に台頭し、東芝のDRAM事業は大きな苦境に立たされることになります。 IT不況の影響などもありDRAM市況がますます悪化していく中、2001年12月に東芝はついに汎用DRAMの製造・販売の終息を発表。今後はNANDを中心に高付加価値のメモリ製品に特化していくという大きな決断を下します。

微細化・高速化の推進で、
世界市場でのプレゼンスを高め続ける。

Chapter.2

翌2002年から、NAND型フラッシュメモリの製造を四日市工場に集中。応用分野拡大の努力もあり、さらには、普及をはじめたデジタルカメラやカメラ付き携帯電話向けにNANDの市場規模が爆発的に拡大したため、2003年に増産体制を急ピッチで構築することになりました。
その後も設備投資を次々と行い、生産効率の高い300mmウエハーにも対応するなど、継続的に量産規模を拡大。「多値化」「微細化」の両軸での技術革新を進め、常に競合に先駆けて世界最小チップサイズの大容量NANDの開発を追い求めてきました。

その技術革新は、スマートフォンやタブレットが勢いを増し、またコンピュータのストレージが従来のHDDから高速・省電力のSSDに置き換わりつつある時代を先取りしたとも言えるでしょう。
また、四日市工場がメモリ市況の変化に柔軟に対応し続けられた背景には、常に採算を重視した生産計画を遂行するなど、生き残るための競争戦略を徹底したことも挙げられます。

微細化限界を突破する
3次元フラッシュメモリ。
「BiCS FLASH™」量産も四日市で。

Chapter.3

これまで社内で営々と基礎研究を重ねてきた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の研究を量産工程にシフトさせるにあたっても、四日市工場は大きな役割を果たしました。「BiCS FLASH™」は2015年に48層製品のサンプル出荷が始まり、さらに64層の新製品についてもサンプル出荷がスタートしています。これら積層プロセスを用いた「BiCS FLASH™」メモリの製造は、2016年夏に竣工した新・第2製造棟が中心になります。

「BiCS FLASH™」の量産にあたっては、製造装置、検査装置から集まるビッグデータを収集し、それをディープラーニングなどの人工知能技術で解析してさらなる生産性向上につなげるなど、生産技術の革新も進んでいます。
2018年夏には第6製造棟が第1期竣工。ウエスタンデジタル社とも協調して投資額を分担することでリスクを軽減しつつ、さらに効果を増していく計画です。
四半世紀を超えて半導体技術者と共に歩み続けてきた四日市工場。これからも世界の半導体開発の最前線に立ち続けます。

四日市工場の歴史

1992年

発足

1993~2002年

DRAM生産

2002年

SanDiskとのJVにてNANDの生産開始

2005年

第3製造棟 生産開始

2007年

第4製造棟 生産開始

2011年

第5製造棟 生産開始

2016年

新・第2製造棟 生産開始

2018年

第6製造棟 生産開始

四日市工場の特徴

世界最大のフラッシュメモリ工場

生産能力を相互補完する4棟統合生産
高度に自動化したクリーンルームにおける高効率生産
開発部門との密な連携