TOSHIBA MEMORY 東芝メモリ株式会社 キャリア採用サイト

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ABOUT US

ここでは当社の事業概要、拠点、生産拠点である四日市工場についてご紹介します。

Company Outline
and Corporate Organization

会社概要

会社名

東芝メモリ株式会社
(Toshiba Memory Corporation)

発足

2017年4月1日

資本金

4,734億2万5千円

本社所在地

東京都港区芝浦三丁目1番21号

大株主及び
持株比率

BCPE Pangea Cayman, L.P. (49.9%)
株式会社東芝 (40.2%)
HOYA株式会社 (9.9%)
※議決権ベースの持株比率を記載しています。

発行株数

1396万5000株

代表者

代表取締役社長 成毛 康雄

事業内容

メモリ及び関連製品の開発・製造・販売事業及びその関連事業

従業員数

単独:約9,000名、連結:約11,000名

主な関係会社

日本:
東芝メモリシステムズ株式会社(TMES)
東芝メモリアドバンスドパッケージ株式会社(TMEC)
東芝メモリ岩手株式会社 (TMI)

海外:
Toshiba Memory America, Inc. (TMA)
Toshiba Memory Europe GMBH (TME)
Toshiba Memory Asia, Ltd. (TMAL)
Toshiba Electronics (China) Co., Ltd. (TELS)
Toshiba Devices & Storage (Shanghai) Co., Ltd. (TDES)
Toshiba Memory Singapore Pte. Ltd. (TMSP)
Toshiba Memory Semiconductor Taiwan Corporation (TMET)
Toshiba Memory Taiwan Corporation (TMTC)
Toshiba Memory Korea Corporation (TMKC)

経営理念

理念
私たちは最先端メモリ技術・サービスを
開拓し続けることで人々のくらしを豊かにし、
社会の可能性を広げます。
ビジョン
私たちは創造的な技術を用いて
持続的に価値追求・成長を続ける
企業を目指します。
行動方針
創造 / 先駆 / 飛躍 / 対話 / 誠実

組織図

歴史

世界で初めてフラッシュメモリを発明。未来への道を切り開いてきました。

1987年

世界初 NAND型フラッシュメモリの発明

1991年

世界初 NAND型フラッシュメモリの製品化

1992年

四日市工場 設立

2007年

世界初 3次元フラッシュメモリ技術の発表

2014年

世界初 15nm 128Gbit NAND型フラッシュメモリの製品化

2016年

48層 3次元フラッシュメモリ BiCS FLASH™ の量産開始

2017年

東芝メモリ株式会社 設立
64層 3次元フラッシュメモリ BiCS FLASH™ の量産開始

国内拠点

  • ①東芝メモリ岩手株式会社

    岩手県北上市

  • ②本社

    東京都港区

  • ③大船事業所小向分室
    大船事業所半導体システム技術センター分室

    神奈川県川崎市

  • ④大船事業所
    大船事業所横浜分室
    東芝メモリシステムズ株式会社

    神奈川県横浜市

  • ⑤四日市工場
    メモリ技術研究所
    先端メモリ開発センター
    東芝メリアドバンスドパッケージ株式会社

    三重県四日市市

  • ⑥本社関西分室

    大阪府大阪市

メモリ事業 業績推移

設備投資額(発注ベース)

(※)東芝電子デバイス事業全体

About the Yokkaichi plant

From DRAM to NAND-type flash memory,
and also 3D flash memory

半導体開発の“聖地”として。

Prologue

当社の半導体メモリの開発・生産拠点である四日市工場。東京ドーム約10個分という44万m²の広大な敷地に、最先端の半導体製造設備が展開され、約6,000人の人々が働いています。
現在、この工場から生まれる主力製品はNAND型フラッシュメモリ。プロセスルール15nmの2次元の製品がメインですが、同時にセルを多層に積み上げる3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の研究開発や生産も進んでいます。

誰も踏み入れたことのない新しい技術への挑戦が続く四日市工場。世界の半導体の歴史を知る者にとって、ここは困難な技術課題と市況変動の波を乗り越えて存続してきた、“聖地”の一つとも言えるもの。その歴史を簡単に振り返ります。

生き残りをかけて、
DRAMからNANDへの全面転換を決断。

Chapter.1

1992年、東芝グループや地元経済発展への期待を一身に受け、四日市工場は最先端メモリ製品の量産拠点として発足しました。まずはDRAMの先端工場として16メガDRAMの生産からはじまり、64メガDRAM、128メガDRAM、SRAMなど、当時における次世代メモリ製品の生産を次々と進めていきました。しかし、汎用コンピュータからパーソナル・コンピュータへという市場ニーズの大きな変化に伴い、求められるDRAMの質も変化。

韓国や台湾などのアジア企業が一気に台頭し、東芝のDRAM事業は大きな苦境に立たされることになります。 IT不況の影響などもありDRAM市況がますます悪化していく中、2001年12月に東芝はついに汎用DRAMの製造・販売の終息を発表。今後はNANDを中心に高付加価値のメモリ製品に特化していくという大きな決断を下します。

微細化・高速化の推進で、
世界市場でのプレゼンスを高め続ける。

Chapter.2

翌2002年から、NAND型フラッシュメモリの製造を四日市工場に集中。応用分野拡大の努力もあり、さらには、普及をはじめたデジタルカメラやカメラ付き携帯電話向けにNANDの市場規模が爆発的に拡大したため、2003年に増産体制を急ピッチで構築することになりました。
その後も設備投資を次々と行い、生産効率の高い300mmウエハーにも対応するなど、継続的に量産規模を拡大。「多値化」「微細化」の両軸での技術革新を進め、常に競合に先駆けて世界最小チップサイズの大容量NANDの開発を追い求めてきました。

その技術革新は、スマートフォンやタブレットが勢いを増し、またコンピュータのストレージが従来のHDDから高速・省電力のSSDに置き換わりつつある時代を先取りしたとも言えるでしょう。
また、四日市工場がメモリ市況の変化に柔軟に対応し続けられた背景には、常に採算を重視した生産計画を遂行するなど、生き残るための競争戦略を徹底したことも挙げられます。

微細化限界を突破する
3次元フラッシュメモリ。
「BiCS FLASH™」量産も四日市で。

Chapter.3

これまで社内で営々と基礎研究を重ねてきた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の研究を量産工程にシフトさせるにあたっても、四日市工場は大きな役割を果たしました。「BiCS FLASH™」は2015年に48層製品のサンプル出荷が始まり、さらに64層の新製品についてもサンプル出荷がスタートしています。これら積層プロセスを用いた「BiCS FLASH™」メモリの製造は、2016年夏に竣工した新・第2製造棟が中心になります。

「BiCS FLASH™」の量産にあたっては、製造装置、検査装置から集まるビッグデータを収集し、それをディープラーニングなどの人工知能技術で解析してさらなる生産性向上につなげるなど、生産技術の革新も進んでいます。
四日市工場の増強のために、2018年までに8,600億円を投資することがすでに発表されています。ウエスタンデジタル社とも協調して投資額を分担することでリスクを軽減しつつ、さらに効果を増していく計画です。
四半世紀を超えて半導体技術者と共に歩み続けてきた四日市工場。これからも世界の半導体開発の最前線に立ち続けます。

四日市工場の歴史

1992年

発足

1993~2002年

DRAM生産

2002年

SanDiskとのJVにてNANDの生産開始

2005年

Y3棟 生産開始

2007年

Y4棟 生産開始

2011年

Y5棟 生産開始

2016年

N-Y2棟 生産開始

四日市工場の特徴

世界最大のフラッシュメモリ工場

生産能力を相互補完する4棟統合生産
高度に自動化したクリーンルームにおける高効率生産
開発部門との密な連携